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采用双堆栈技术,三星第七代 V NAND 闪存可达 176 层

17浏览 / 1回复

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发表于 2020-09-10 16:28:07
电梯直达 确定
楼主

根据韩媒报道,三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展,第七代 V NAND 闪存芯片将达到 176 层,并将于明年 4 月实现量产。这将是业界首个高于 160 层的高级别的 NAND 闪存芯片,三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距,维持自 2002 年以来一直在全球 NAND 闪存市场中排名第一的地位。

器(SSD)。

在 NAND 闪存市场上,三星一直业界领先。去年,三星以 165.17 亿美元的销售额占据全球市场的 35.9%,在 NAND 闪存市场中排名第一,持续自 2002 年以来的领先地位。


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发表于 2020-09-10 20:49:46 1楼

现在内存好像在最低价位了······

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